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BSE-020-01-C-D-A

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  • 制造商
  • Samtec Inc
  • 功能描述
  • .8MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY - Bulk
BSE-020-01-C-D-A 技術(shù)參數(shù)
  • BSE-020-01-C-D 功能描述:.8MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSE 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 連接器類(lèi)型:插座，中央帶觸點(diǎn) 針腳數(shù):40 間距:0.031"（0.80mm） 排數(shù):2 安裝類(lèi)型:表面貼裝 特性:- 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:50μin（1.27μm） 接合堆疊高度:5mm，8mm 板上高度:0.128"（3.25mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD840NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:880mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 880mA，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:78pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD840N L6327 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:880mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 880mA，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:78pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSD816SNL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:180pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD816SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:0.95V @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:180pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2 BSE-020-01-L-D BSE-020-01-L-D-A BSE-020-01-L-D-A-FL BSE-020-01-L-D-A-FL-TR BSE-020-01-L-D-A-GP BSE-020-01-L-D-A-TR BSE-020-01-L-D-EM2 BSE-020-01-L-D-EM2-GP BSE-020-01-L-D-FL BSE-020-01-L-D-LC BSE-020-01-L-D-TR BSE-040-01-C-D BSE-040-01-C-D-A
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