BSH-020-01-C-D-A

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

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功能描述
.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY
制造商
samtec inc.
系列
BSH
包裝
管件
零件狀態(tài)
在售
連接器類型
插口，中央觸點(diǎn)帶
針腳數(shù)
40
間距
0.020"（0.50mm）
排數(shù)
2
安裝類型
表面貼裝
特性
板導(dǎo)軌
觸頭鍍層
金
觸頭鍍層厚度
50μin（1.27μm）
接合堆疊高度
5mm
板上高度
0.128"（3.25mm）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

BSH-020-01-C-D-A 技術(shù)參數(shù)

BSG0813NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19A， 33A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 155°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TISON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSG0811NDATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19A， 41A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TISON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSG0810NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19A， 39A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1040pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 155°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TISON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSF-HD 功能描述:9V FEMALE SNAP 4-SIDED HVY-DUTY 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態(tài):有效電池類型，功能:9V，卡入式觸點(diǎn)（單）樣式:觸點(diǎn)，卡入式（正極）電池尺寸:9V 電池數(shù):- 電池系列:- 安裝類型:自定義端子類型:- 板上高度:- 工作溫度:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSF450NE7NH3XUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta），15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:390pF @ 37.5V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D BSH-030-01-C-D-A BSH-030-01-C-D-A-K-TR BSH-030-01-C-D-A-TR BSH-030-01-F-D BSH-030-01-F-D-A BSH-030-01-F-D-A-TR BSH-030-01-F-D-EM2 BSH-030-01-F-D-LC BSH-030-01-F-D-LC-TR BSH-030-01-F-D-RA-WT BSH-030-01-F-D-RA-WT-GP BSH-030-01-F-D-TR BSH-030-01-H-D