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BSO200P03SNTMA1

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  • BSO200P03SNTMA1
    BSO200P03SNTMA1

    BSO200P03SNTMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

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  • BSO200P03SNTMA1
    BSO200P03SNTMA1

    BSO200P03SNTMA1

  • 深圳市正永電子有限公司
    深圳市正永電子有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：0755-23930354

    地址：中航路都會(huì)軒3607

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  • Infineon Technologies

  • PG-DSO-8

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BSO200P03SNTMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 30V 7.4A DSO-8
BSO200P03SNTMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSO200P03SHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7.4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9.1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2330pF @ 25V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO200N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 8.8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:840pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO200N03 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 7.9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 13μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1010pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO150N03MDGXUMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 9.3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 基本零件編號(hào):BSO150N03 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO150N03MD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 9.3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO207PHXUMA1 BSO207PNTMA1 BSO211PHXUMA1 BSO211PNTMA1 BSO215C BSO220N03MD G BSO220N03MSGXUMA1 BSO300N03S BSO301SP H BSO301SPHXUMA1 BSO301SPNTMA1 BSO303P H BSO303PHXUMA1 BSO303PNTMA1 BSO303SPHXUMA1 BSO303SPNTMA1 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03
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