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BSS215PL6327HTSA1

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

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  • 865000

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  • 深圳市正永電子有限公司
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  • Infineon Technologies

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23
BSS215PL6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSS215PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.5A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):3.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):346pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 1.5A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS215P H6327 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):346pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS214NWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS214NW L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS214NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS308PE H6327 BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEL6327HTSA1 BSS314PE H6327 BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEL6327HTSA1 BSS315P H6327 BSS315PH6327XTSA1 BSS315PL6327HTSA1 BSS316N H6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS316NL6327HTSA1 BSS340NWH6327XTSA1 BSS44 BSS606NH6327XTSA1 BSS63 BSS63,215 BSS63LT1G
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