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BSS84TC

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • BSS84TC
    BSS84TC

    BSS84TC

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 100000

  • ZETEX

  • SOT-23SC-59

  • 04+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • BSS84TC
    BSS84TC

    BSS84TC

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Diodes

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • BSS84TC
    BSS84TC

    BSS84TC

  • 深圳市澤芯微科技有限公司
    深圳市澤芯微科技有限公司

    聯(lián)系人：柯小姐

    電話：0755-8273028382732023

    地址：中航路新亞洲國(guó)利大廈A座24層12室

  • 20000

  • zetex

  • sot-23sc-

  • 04+

  • -

  • 進(jìn)口原裝現(xiàn)貨，一定自己庫(kù)存

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共14條 
  • 1
BSS84TC PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET P-Chnl 50V
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSS84TC 技術(shù)參數(shù)
  • BSS84TA 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84PWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:150mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 150mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84PW L6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:150mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 150mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS84PW 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:150mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 150mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84PL6433HTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:19pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSS87H6327XTSA1 BSS87L6327HTSA1 BS-SA7024 BST-108-08-G-D-230-RA BST110V BST-12/125-D12-C BST-12/125-D48-C BST-136-08-G-D-230-RA BST-136-08-L-D-230-RA BST-136-08-S-D-230-RA BST-136-08-T-D-230-RA BST15,115 BST-15/100-D48-C BST-15/85-D5-C BST15TA BST16,115 BST-169 BST16TA
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