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BTS247ZE3043AKSA1

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    BTS247ZE3043AKSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

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  • 1
BTS247ZE3043AKSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET TEMPFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BTS247ZE3043AKSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BTS247ZAKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-5 成形引線 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-5-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS247Z E3062A 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-5,D2Pak(4 引線+接片),TO-263BB 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BTS245A 功能描述:Hex Standoff Threaded #8-32 Brass 1.500" (38.10mm) 1 1/2" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件狀態(tài):有效 類型:六角支座 有絲/無(wú)絲:有螺紋 公母:公頭,母頭 螺釘,螺紋規(guī)格:#8-32 直徑 - 內(nèi)部:- 直徑 - 外部:0.250"(6.35mm) 1/4" 六角形 板間高度:1.500"(38.10mm)1 1/2" 長(zhǎng)度 - 總:1.875"(47.63mm)1 7/8" 特性:- 材料:黃銅 鍍層:鎳 顏色:- 重量:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BTS244ZNKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-5 成形引線 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-5-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS244ZE3062AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-5,D2Pak(4 引線+接片),TO-263BB 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BTS3035EJXUMA1 BTS3035TFATMA1 BTS3046SDLATMA1 BTS3046SDRATMA1 BTS3050EJXUMA1 BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT
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