您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > B字母型號搜索 > B字母第1601頁 >

BUK7619-100B,118

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BUK7619-100B,118
    BUK7619-100B,118

    BUK7619-100B,118

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
BUK7619-100B,118 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3pin(2+Tab)
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BUK7619-100B,118 技術參數(shù)
  • BUK7618-55,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 57A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):57A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2000pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 BUK7616-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 65.7A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):65.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2245pF @ 25V 功率 - 最大值:138W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 BUK7615-100A,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6000pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 BUK76150-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 11A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):322pF @ 25V 功率 - 最大值:36W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 BUK7614-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):73A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2464pF @ 25V 功率 - 最大值:166W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 BUK7624-55,118 BUK7624-55A,118 BUK7626-100B,118 BUK7628-100A,118 BUK7628-100A/C,118 BUK7628-55A,118 BUK762R0-40C,118 BUK762R0-40E,118 BUK762R4-60E,118 BUK762R6-40E,118 BUK762R6-60E,118 BUK762R7-30B,118 BUK762R9-40E,118 BUK7631-100E,118 BUK7635-100A,118 BUK7635-55A,118 BUK763R1-40B,118 BUK763R1-60E,118
配單專家

在采購BUK7619-100B,118進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買BUK7619-100B,118產品風險,建議您在購買BUK7619-100B,118相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的BUK7619-100B,118信息由會員自行提供,BUK7619-100B,118內容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網(wǎng)不承擔任何責任。

買賣IC網(wǎng) (massivemove.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號