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BUK9E1R8-40E,127

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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BUK9E1R8-40E,127 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  • 制造商
  • nxp semiconductors
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 邏輯電平門
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 120A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 1.7 毫歐 @ 25A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 120nC @ 5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 16400pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 349W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • I2PAK
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
BUK9E1R8-40E,127 技術(shù)參數(shù)
  • BUK9E1R6-30E,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:113nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:16150pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK9E15-60E,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:54A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2651pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK9E08-55B,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:45nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5280pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:203W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK9E06-55B,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:60nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7565pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:258W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.4 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK9E06-55A,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:8600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK9E6R1-100E,127 BUK9E8R5-40E,127 BUK9GTHP-55PJTR,51 BUK9K12-60EX BUK9K134-100EX BUK9K13-60EX BUK9K17-60EX BUK9K18-40E,115 BUK9K20-80EX BUK9K22-80EX BUK9K25-40EX BUK9K29-100E,115 BUK9K30-80EX BUK9K32-100EX BUK9K35-60E,115 BUK9K45-100E,115 BUK9K52-60E,115 BUK9K5R1-30EX
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