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BZX55B18-TR

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  • 廠商
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  • 操作
  • BZX55B18-TR
    BZX55B18-TR

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • VISHAY SE

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • BZX55B18-TR
    BZX55B18-TR

    BZX55B18-TR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4556

  • VISHAY

  • 1425

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存！

  • BZX55B18-TR
    BZX55B18-TR

    BZX55B18-TR

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Vishay

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BZX55B18-TR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 穩(wěn)壓二極管 18 Volt 0.5W 2%
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數(shù)
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
BZX55B18-TR 技術參數(shù)
  • BZX55B18-TAP 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B18 A0G 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55B16-TR 功能描述:Zener Diode 16V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:16V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B16-TAP 功能描述:Zener Diode 16V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:16V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B16 A0G 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:16V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55B27 A0G BZX55B27-TAP BZX55B27-TR BZX55B2V4 A0G BZX55B2V4-TAP BZX55B2V4-TR BZX55B2V7 A0G BZX55B2V7-TAP BZX55B2V7-TR BZX55B30 A0G BZX55B30-TAP BZX55B30-TR BZX55B33 A0G BZX55B33-TAP BZX55B33-TR BZX55B36 A0G BZX55B36-TAP BZX55B36-TR
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