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BZX55F3V0-TAP

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BZX55F3V0-TAP PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • Zener Diode 3V 500mW ±1% Through Hole DO-35
  • 制造商
  • vishay semiconductor diodes division
  • 系列
  • 汽車級,AEC-Q101
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 上次購買時間
  • 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz)
  • 3V
  • 容差
  • ±1%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 85 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 4μA @ 1V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 1.5V @ 200mA
  • 工作溫度
  • 175°C
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-35
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10,000
BZX55F3V0-TAP 技術(shù)參數(shù)
  • BZX55F36-TR 功能描述:Zener Diode 36V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):36V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55F36-TAP 功能描述:Zener Diode 36V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):36V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55F33-TR 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):33V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55F33-TAP 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):33V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55F30-TR 功能描述:Zener Diode 30V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):30V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55F5V1-TR BZX55F5V6-TAP BZX55F5V6-TR BZX55F6V2-TAP BZX55F6V2-TR BZX55F6V8-TAP BZX55F6V8-TR BZX55F7V5-TAP BZX55F7V5-TR BZX55F8V2-TAP BZX55F8V2-TR BZX55F9V1-TAP BZX55F9V1-TR BZX584B10 RKG BZX584B11 RKG BZX584B12 RKG BZX584B13 RKG BZX584B15 RKG
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