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BSS138

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
BSS138 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSS138 技術(shù)參數(shù)
  • BSS131L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):110mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):77pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS131H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):240V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):110mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):3.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):77pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 100mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSS131E6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):110mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):77pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS131 H6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):110mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):77pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS127SSN-7 功能描述:MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):50mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 歐姆 @ 16mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.08nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):21.8pF @ 25V 功率 - 最大值:610mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 BSS138BKVL BSS138BKW,115 BSS138BKW-BX BSS138-D87Z BSS138DW-7 BSS138DW-7-F BSS138DWQ-13 BSS138DWQ-7 BSS138-F085 BSS138K BSS138L BSS138LT1 BSS138LT1G BSS138LT3 BSS138LT3G BSS138N E6433 BSS138N E6908 BSS138N E7854
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