CDM-24

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CDM-24
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Curtis Industries
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

CDM-24
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：劉春蘭
電話：19129491434(微信同號)
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
Curtis Industries
原裝
2013+
-
授權分銷現(xiàn)貨熱賣

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功能描述
TERM BLOCK HI CURRENT 24CIRC
RoHS
是
類別
連接器，互連式 >> 接線座 - 隔板塊
系列
CDM
標準包裝
10
系列
Beau™ 38780
端接塊類型
阻隔塊
電路數(shù)
15
導線入口數(shù)目
30
間距
0.438"（11.12mm）
行數(shù)
2
電流
15A
電壓
300V
線規(guī)
14-22 AWG
頂部端子
螺釘
底部端子
焊片
阻擋層類型
雙壁（雙）
特點
法蘭
顏色
黑
包裝
散裝
安裝類型
通孔
工作溫度
-
材料 - 絕緣體
聚對苯二甲酸丁二酯（PBT），玻璃纖維增強型
材料可燃性額定值
UL94 V-0
其它名稱
038780-111538780-1115387801115

CDM-24 技術參數(shù)

CDM-23 功能描述:23 電路 0.546"（13.86mm）阻隔塊連接器, 螺釘制造商:curtis industries 系列:CDM 包裝:散裝零件狀態(tài):有效端子塊類型:阻隔塊電路數(shù):23 進線數(shù):46 間距:0.546"（13.86mm）排數(shù):2 額定電流:30A 額定電壓:600V 線規(guī):10-22 AWG 頂部端接:螺釘底部端接:閉合式隔板類型:雙壁（雙）特性:法蘭，標記條顏色:- 端子螺紋材料:- 端子螺紋表面:- 安裝類型:底座，面板工作溫度:130°C 材料 - 絕緣:熱塑性聚酯材料可燃性等級:UL94 V-0 標準包裝:10 CDM2208-800FP SL 功能描述:MOSFET N-CH 8A 800V TO-220FP 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1110pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 CDM2206-800LR SL 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6A TO220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:950 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:* 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 CDM2205-800FP SL 功能描述:MOSFET N-CH 5A 800V TO-220FP 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.7 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:705pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 CDM22012-800LRFP SL 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:52.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1090pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 CDM-33 CDM-34 CDM-35 CDM-36 CDM-37 CDM-38 CDM3-800 TR13 CDM-39 CDM-4 CDM-40 CDM-41 CDM-42 CDM-43 CDM-44 CDM-45 CDM-46 CDM4-600LR TR13 CDM4-650 TR13