CEDM8004 BK

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

CEDM8004 BK PBFREE
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
200
Central Semiconductor
SOT-883L
20+
-
瑞智芯只做原裝

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1

您是不是要找： CEDM8004 TR CEDM8004VL TR CEDS0524V-G CEDS055V0-G CEE0.6100.151 CEE2X34PF-102FELF CEE2X60PF102PY4 CEE2X60PF102PY4LF CEE2X66PF102FELF

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功能描述
MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
450mA（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
1.1 歐姆 @ 430mA，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
0.88nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
55pF @ 25V
功率 - 最大值
100mW
工作溫度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-101，SOT-883
供應(yīng)商器件封裝
SOT-883
標(biāo)準(zhǔn)包裝
5,000

CEDM8004 BK 技術(shù)參數(shù)

CEDM8001VL TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883VL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEDM8001 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEDM8001 BK 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 CEDM7004VL TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883VL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEDM7004 TR 功能描述:MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.78A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEE2X90PF154FELF CEE2X92PF-102PY4 CEE2X92PF-102PY4LF CEE2X92PF-153PY4 CEE2X92PF-153PY4LF CEE2X92PF180PY4 CEE2X92PF180PY4LF CEEA-X CEF0602N CEF0604N CEF0607N CEF400-112C CEFA101-G CEFA102-G CEFA103-G CEFA104-G CEFA105-G CEFA201-G