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CMLDM8120 TR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CMLDM8120 TR
    CMLDM8120 TR

    CMLDM8120 TR

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CMLDM8120 TR
    CMLDM8120 TR

    CMLDM8120 TR

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 41690

  • Centralsemi

  • SOT-563

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • CMLDM8120 TR
    CMLDM8120 TR

    CMLDM8120 TR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • CENTRAL S

  • 帶卷(TR)

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • CMLDM8120 TR
    CMLDM8120 TR

    CMLDM8120 TR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Centralsemi

  • SOT-563

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨!

  • CMLDM8120 TR
    CMLDM8120 TR

    CMLDM8120 TR

  • 深圳市軒盛達電子有限公司
    深圳市軒盛達電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103

  • 10000

  • -
  • 原廠原裝現(xiàn)貨,代找緊缺料

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
CMLDM8120 TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 邏輯電平門
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 860mA(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 150 毫歐 @ 950mA,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 3.56nC(4.5V)
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 200pF @ 16V
  • 功率 - 最大值
  • 350mW
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-563,SOT-666
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SOT-563
  • 標準包裝
  • 1
CMLDM8120 TR 技術(shù)參數(shù)
  • CMLDM8005 TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):650mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):360 毫歐 @ 350mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM8002AG TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):280mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):70pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM7585 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):650mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):230 毫歐 @ 600mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM7484 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道互補型 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):450mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):460 毫歐 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):45pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM7120G TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):220pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLHPB11-1RLS4-52-125.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-150.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-A1-01-V CMLHPB11-1RLS4R-37028-200 CMLHPB11-1RLS4R-38186-175-V CMLHPB11-1RLS4R-38186-200-V CMLHPB11-1RS5-37738-200 CMLHPB11-2RLS5-39823-175-T CMLHPC111-1RLS4-32527-250 CMLHPK111-1REC5-33592-250 CMLHPK111-1RLS4-33518-1 CMLHPK111-1RLS5-52-250.-A-01-V CMLHPK111-1RS4-32924-225 CMLHPK111-38622-250-V CMLHPK111-38646-250-V CMLHPK11-1REC4-33767-200 CMLHPK11-1REC4-35051-200
配單專家

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