CPC3708CTR

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型號
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數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CPC3708CTR
深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號深紡大廈C座2樓E16
資質：營業(yè)執(zhí)照
7530
IXYS/艾賽斯
SOT89
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

CPC3708CTR
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
1000
IXYS INTEG.CIRCUITS DIV(C
主營優(yōu)勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

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CPC3708CTR PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89
制造商
ixys integrated circuits division
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
耗盡模式
漏源極電壓（Vdss）
350V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
5mA（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
14 歐姆 @ 50mA，350mV
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
300pF @ 0V
功率 - 最大值
1.1W
工作溫度
-40°C ~ 110°C（TA）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-243AA
供應商器件封裝
SOT-89
標準包裝
1

CPC3708CTR 技術參數(shù)

CPC3703ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 200mA，0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1,000 CPC3703CTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:360mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 200mA，0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 CPC3703C 功能描述:MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:360mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 200mA，0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:100 CPC3701CTR 功能描述:MOSFET N-CH 60V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 300mA，0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1,000 CPC3701C 功能描述:MOSFET N-CH 60V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 300mA，0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:200 CPC3909ZTR CPC3960ZTR CPC3980ZTR CPC3982TTR CPC40055ST CPC44055ST CPC5001G CPC5001GS CPC5001GSTR CPC5002G CPC5002GS CPC5002GSTR CPC5601D CPC5602CTR CPC5603CTR CPC5604A CPC5604ATR CPC5608N