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CRZ15(TE85L,Q,M)

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
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  • 1
CRZ15(TE85L,Q,M) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 穩(wěn)壓二極管 15V 0.7W S-FLAT
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數(shù)
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
CRZ15(TE85L,Q,M) 技術(shù)參數(shù)
  • CRZ13(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ12(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ12(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 12V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ11(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ11(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 11V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ30(TE85L,Q) CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ33(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ39(TE85L,Q,M) CRZ43(TE85L,Q,M) CRZ47(TE85L,Q) CRZ47(TE85L,Q,M) CS 60 US CS/XMAS-6F CS00 CS00094AC-J5-DCC-32.7707 CS00094AC-J5-DCC-32.7707E CS00095AC-J1-DCC-32.7707 CS00095AC-J1-DCC-32.7707E CS00096AC-J1-18E-0032.7707 CS00096AC-J1-18E-0032.7707E CS-00505
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