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CSD17570Q5BT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • CSD17570Q5BT
    CSD17570Q5BT

    CSD17570Q5BT

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 15+

  • -

  • 百分百原裝假一罰十

  • CSD17570Q5BT
    CSD17570Q5BT

    CSD17570Q5BT

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：8296641615986789713

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 250

  • TI/德州儀器

  • VSON-CLIP-8

  • -

  • 只做原裝，假一賠十

  • CSD17570Q5BT
    CSD17570Q5BT

    CSD17570Q5BT

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Texas Instruments

  • MOSFET N-CH 30V 100A

  • 22+

  • -

  • CSD17570Q5BT
    CSD17570Q5BT

    CSD17570Q5BT

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TI

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
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CSD17570Q5BT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD17570Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 30V 53A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:0.69 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:121nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17559Q5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.15 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:51nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9200pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17556Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8-VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:34A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.65V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:39nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7020pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17555Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.7 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4650pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17553Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 23.5A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23.5A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3252pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17577Q5A CSD17577Q5AT CSD17578Q3A CSD17578Q3AT CSD17578Q5A CSD17578Q5AT CSD17579Q3A CSD17579Q3AT CSD17579Q5A CSD17579Q5AT CSD17581Q3A CSD17581Q3AT CSD17581Q5A CSD17581Q5AT CSD17585F5 CSD17585F5T CSD18501Q5A CSD18502KCS
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