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CSD22206WT

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  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • CSD22206WT
    CSD22206WT

    CSD22206WT

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國(guó)上海

  • 100

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

  • CSD22206WT
    CSD22206WT

    CSD22206WT

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心3204室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 100

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • P 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 8V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 5A（Ta）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 2.5V，4.5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 1.05V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 14.6nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）
  • -6V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 2275pF @ 4V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 1.7W（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 5.7 毫歐 @ 2A，4.5V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 9-DSBGA（1.5x1.5）
  • 封裝/外殼
  • 9-UFBGA，DSBGA
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD22206WT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD22205LT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7.4A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1390pF @ 4V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:600mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.9 毫歐 @ 1A， 4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:4-PICOSTAR 封裝/外殼:4-XFLGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD22204WT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.9m? @ 2A, 4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24.6nC(4.5V) 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1130pF @ 4V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:9-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:9-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD22202W15 功能描述:MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12.2 毫歐 @ 2A、 4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1390pF @ 4V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:9-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:9-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD20248 功能描述:BOX STEEL GRAY 20"L X 24.02"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 容器類型:盒 大小/尺寸:20.000" 長(zhǎng) x 24.016" 寬（508.00mm x 610.00mm） 高度:7.992"（203.00mm） 面積（L x W）:480 in2（3097 cm2） 設(shè)計(jì):鉸鏈?zhǔn)介T(mén)，蓋 材料:金屬 - 鋼 顏色:灰色 厚度:18 號(hào) 特性:密封墊，壁裝 等級(jí):IP66，NEMA 4，12，13，UL-508A 材料可燃性等級(jí):- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運(yùn)送 重量:31 磅（14.1kg） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD20208SS 功能描述:BOX S STEEL NAT 20"L X 20"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 容器類型:盒 大小/尺寸:20.000" 長(zhǎng) x 20.000" 寬（508.00mm x 508.00mm） 高度:7.992"（203.00mm） 面積（L x W）:400 in2（2581 cm2） 設(shè)計(jì):鉸鏈?zhǔn)介T(mén)，蓋 材料:金屬，不銹鋼 顏色:天然 厚度:16 號(hào) 特性:密封墊，不銹鋼鉸鏈，壁裝 等級(jí):IP66，NEMA 3R，4，4X，12，13，UL-508A 材料可燃性等級(jí):- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運(yùn)送 重量:30 磅（13.6kg） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23381F4 CSD23381F4T CSD23382F4 CSD23382F4T CSD2410 CSD2410F CSD24168 CSD242010 CSD24208 CSD242410 CSD242410W CSD242412 CSD24246 CSD24248 CSD24248SS CSD2425 CSD2425-10 CSD2425F
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