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CSD85312Q3E

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • CSD85312Q3E
    CSD85312Q3E

    CSD85312Q3E

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 15+

  • -

  • 百分百原裝假一罰十

  • CSD85312Q3E
    CSD85312Q3E

    CSD85312Q3E

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 29291

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯， 只有原裝

  • CSD85312Q3E
    CSD85312Q3E

    CSD85312Q3E

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • CSD85312Q3E
    CSD85312Q3E

    CSD85312Q3E

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：8296641615986789713

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • TI/德州儀器

  • VSON-8

  • 19+

  • -

  • 只做原裝，假一賠十

  • CSD85312Q3E 貼片三極管
    CSD85312Q3E 貼片三極管

    CSD85312Q3E 貼片三極管

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-83795896

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 35000

  • TI/德州儀器

  • VSON-8

  • 21+原廠授權(quán)

  • -

  • ★原廠授權(quán)★價(jià)超代理★

  • CSD85312Q3E
    CSD85312Q3E

    CSD85312Q3E

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • TI/德州儀器

  • SON3X3

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • CSD85312Q3E
    CSD85312Q3E

    CSD85312Q3E

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 19900

  • TEXAS INS

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • CSD85312Q3E
    CSD85312Q3E

    CSD85312Q3E

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Texas Instruments

  • MOSFET 2N-CH 20V 39A

  • 22+

  • -

  • CSD85312Q3E
    CSD85312Q3E

    CSD85312Q3E

  • 深圳市暢洲科技有限公司
    深圳市暢洲科技有限公司

    聯(lián)系人：吳小姐

    電話：852906044930755-82762262

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)深南中路3018號都會軒2506

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • TI(德州儀器)

  • Tape & Reel

  • 22+

  • -

  • 全新原裝正品

  • CSD85312Q3E
    CSD85312Q3E

    CSD85312Q3E

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18320850923

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場1713室

  • 8000

  • TI

  • VSON

  • 18+

  • -

  • 百分百原裝正品，價(jià)格優(yōu)惠！

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
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  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 20V 8VSON
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 功能描述
  • DISCREET - DUAL-DRAIN FET
CSD85312Q3E 技術(shù)參數(shù)
  • CSD85302LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-XFLGA 供應(yīng)商器件封裝:4-Picostar（1.31x1.31） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD85302L 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:- 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-XFLGA 供應(yīng)商器件封裝:4-Picostar（1.31x1.31） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD85301Q2T 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:469pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-WSON（2x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD85301Q2 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:469pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-WSON（2x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD83325LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFBGA 供應(yīng)商器件封裝:6 PicoStar 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87330Q3D CSD87331Q3D CSD87333Q3D CSD87333Q3DT CSD87334Q3D CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT
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