CSD16407Q5

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

3/3頁 40條/頁共89條
上一頁 1 2 3

您是不是要找： CSD16407Q5C CSD16408Q5 CSD16408Q5C CSD16409Q3 CSD16410Q5A CSD16411Q3 CSD16412Q5A CSD16413Q5A CSD16414Q5

CSD16407Q5 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CSD16407Q5 PDF下載

功能描述
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

CSD16407Q5 技術(shù)參數(shù)

CSD16406Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 12.5V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD16404Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta），81A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.1 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1220pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD16403Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2660pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD16401Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4100pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD163CEVM-591 功能描述:TPS40304 NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態(tài):有效主要用途:DC/DC，步降輸出和類型:1，非隔離功率 - 輸出:- 電壓 - 輸出:1.2V 電流 - 輸出:25A 電壓 - 輸入:8 V ~ 14 V 穩(wěn)壓器拓撲:降壓頻率 - 開關(guān):600kHz 板類型:完全填充所含物品:板使用的 IC/零件:TPS40304 標準包裝:1 CSD16415Q5 CSD16415Q5T CSD16556Q5B CSD16570Q5B CSD16570Q5BT CSD17301Q5A CSD17302Q5A CSD17303Q5 CSD17304Q3 CSD17305Q5A CSD17306Q5A CSD17307Q5A CSD17308Q3 CSD17308Q3T CSD17309Q3 CSD17310Q5A CSD17311Q5 CSD17312Q5