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DFE252012F-R47M=P2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • DFE252012F-R47M=P2
    DFE252012F-R47M=P2

    DFE252012F-R47M=P2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Murata Electronics North

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共5條 
  • 1
DFE252012F-R47M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 470nH Shielded Inductor 4.9A 23 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • DFE252012F
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類型
  • -
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵粉
  • 電感
  • 470nH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 4.9A
  • 電流 - 飽和值
  • 7.4A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 23 毫歐最大
  • 不同頻率時(shí)的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級(jí)
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測(cè)試
  • 1MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 1008（2520 公制）
  • 大小/尺寸
  • 0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • 0.047"（1.20mm）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
DFE252012F-R47M=P2 技術(shù)參數(shù)
  • DFE252012F-R33M=P2 功能描述:330nH Shielded Inductor 5.1A 19 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:330nH 容差:±20% 額定電流:5.1A 電流 - 飽和值:8.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:19 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE252012F-8R2M=P2 功能描述:8.2μH Shielded Inductor 1.1A 410 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:8.2μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:410 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE252012F-6R8M=P2 功能描述:6.8μH Shielded Inductor 1.2A 330 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.9A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:330 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE252012F-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.5A 190 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:190 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE252012F-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Inductor 1.8A 135 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:2.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:135 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE252012P-R47M=P2 DFE252012P-R68M=P2 DFE252012R-H-1R0M=P2 DFE252012R-H-1R5M=P2 DFE252012R-H-2R2M=P2 DFE252012R-H-4R7M=P2 DFEG10040D-100M=P3 DFEG10040D-150M=P3 DFEG10040D-1R0M=P3 DFEG10040D-1R5M=P3 DFEG10040D-220M=P3 DFEG10040D-2R2M=P3 DFEG10040D-3R3M=P3 DFEG10040D-4R7M=P3 DFEG10040D-5R6M=P3 DFEG10040D-6R8M=P3 DFEG10040D-8R2M=P3 DFEG12060D-100M=P3
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