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DML1007LDS-7

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  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • DIODES/美臺

  • NA

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • DML1007LDS-7
    DML1007LDS-7

    DML1007LDS-7

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Diodes

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • DML1007LDS-7
    DML1007LDS-7

    DML1007LDS-7

  • 萬三科技（深圳）有限公司
    萬三科技（深圳）有限公司

    聯(lián)系人：王小康

    電話：181886423070755-21006672

    地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C

  • 6500000

  • Diodes Incorporated

  • 原廠原裝

  • 22+

  • -

  • 萬三科技 秉承原裝 實單可議

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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DML1007LDS-7 技術(shù)參數(shù)
  • DMHE001 功能描述:DSUB 9 METAL DIE CAST B/S 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMHA14R5V353M4ATA0 功能描述:SUPERCAPACITOR 制造商:murata electronics north america 系列:DMH 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 電容:35mF 容差:±20% 電壓 - 額定:4.5V ESR（等效串聯(lián)電阻）:300 毫歐 @ 1kHz 不同溫度時的使用壽命:- 端接:SMD（SMT）凸片 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 引線間距:- 大小/尺寸:0.787" 長 x 0.787" 寬（20.00mm x 20.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.016"（0.40mm） 工作溫度:-40°C ~ 85°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 DMG8880LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 11.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1289pF @ 15V 功率 - 最大值:1.43W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMG4712SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 11.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2296pF @ 15V 功率 - 最大值:1.55W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMG4468LFG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.62A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 11.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18.85nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:867pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerUDFN 供應(yīng)商器件封裝:DFN3030-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMM1P15K-F DMM1P22K-F DMM1P33K-F DMM1P47K-F DMM1P68K-F DMM1W10K-F DMM1W1K-F DMM1W1P5K-F DMM1W2P2K-F DMM1W3P3K-F DMM1W4P7K-F DMM1W6P8K-F DMM2P15K-F DMM2P1K DMM2P1K-F DMM2P22K-F DMM2P33K-F DMM2P47K-F
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