DMNH4005SPSQ-13

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DMNH4005SPSQ-13
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）
地址：華強(qiáng)街道賽格廣場55樓5566室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
90000
DIODES/美臺
PDI50608
2020+
-
★★★真實(shí)庫存，假一賠十，原廠授權(quán)★★★

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DMNH4005SPSQ-13 技術(shù)參數(shù)

DMN4040SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:945pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.71W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4034SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.4A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:453pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4030LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.4A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:604pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.14W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4026SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 28A TO252 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1181pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-252 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4015LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2072pF @ 20V 功率 - 最大值:2.19W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMNH4026SSD-13 DMNH4026SSDQ-13 DMNH6008SCT DMNH6008SCTQ DMNH6008SPS-13 DMNH6008SPSQ-13 DMNH6012LK3-13 DMNH6012LK3Q-13 DMNH6012SPS-13 DMNH6012SPSQ-13 DMNH6021SK3-13 DMNH6021SK3Q-13 DMNH6021SPD-13 DMNH6021SPDQ-13 DMNH6021SPS-13 DMNH6021SPSQ-13 DMNH6022SSD-13 DMNH6022SSDQ-13