MOSFET TK10P60W,RVQ品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

TK10P60W,RVQ • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
TK10P60W,RVQ Toshiba MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC 5982 1:￥19.04
10:￥15.39
100:￥13.87
250:￥12.28
2,000:￥8.28
5,000:￥0
TPN14006NH,L1Q Toshiba MOSFET N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W 15000 1:￥6.97
10:￥5.40
100:￥4.29
250:￥3.73
5,000:￥2.14
10,000:￥0
TPH1400ANH,L1Q Toshiba MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC 15000 1:￥9.38
10:￥7.52
100:￥6.60
250:￥5.79
5,000:￥3.58
10,000:￥0
TK5P60W,RVQ Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF 可訂貨
TK6P60W,RVQ Toshiba MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC 6000 1:￥12.63
10:￥10.21
100:￥9.18
250:￥8.14
2,000:￥5.49
5,000:￥0
TPH12008NH,L1Q Toshiba MOSFET N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W 14940 1:￥9.18
10:￥7.31
100:￥6.42
250:￥5.64
5,000:￥3.48
10,000:￥0
TK10P60W,RVQ • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Toshiba
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 600 V
閘/源擊穿電壓 30 V
漏極連續(xù)電流 9.7 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） 0.38 Ohms
配置 Single
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 DPAK-3
封裝 Reel