MOSFET SIA444DJT-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIA444DJT-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
SIA444DJT-T1-GE3 Vishay/Siliconix MOSFET N-Channel 30 V (D-S) 16731 1:￥5.24
10:￥3.59
100:￥3.11
250:￥2.62
3,000:￥1.45
6,000:￥0
SIA444DJT-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET N-Channel 30 V (D-S)
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Vishay/Siliconix
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 30 V
閘/源擊穿電壓
漏極連續(xù)電流 12 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） 0.017 Ohms
配置 Single
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 SC-70
封裝 Reel