MOSFET TK56E12N1,S1X品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

TK56E12N1,S1X • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
TK56E12N1,S1X Toshiba MOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC 1446 1:￥16.63
10:￥13.46
100:￥12.14
250:￥10.76
SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 30000 1:￥0.966
10:￥0.828
100:￥0.718
250:￥0.58
TK20J60U(F) Toshiba MOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 20A 285 1:￥33.67
10:￥26.91
100:￥22.91
250:￥20.15
500:￥18.84
TK32E12N1,S1X Toshiba MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC 570 1:￥13.04
10:￥10.56
100:￥9.52
250:￥8.42
SSM6N15FE(TE85L,F) Toshiba MOSFET Dual N-ch 30V 0.1A 11211 1:￥2.83
10:￥2.42
100:￥1.93
250:￥1.52
4,000:￥0.966
5,000:￥0
SSM3K116TU(TE85L) Toshiba MOSFET Vds=30V Id=2.2A 3Pin 2637 1:￥2.00
10:￥1.59
100:￥1.38
250:￥1.24
SSM6J414TU,LF Toshiba MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF 9000 1:￥4.14
10:￥2.66
100:￥2.28
250:￥1.97
3,000:￥1.18
5,000:￥0
TK56E12N1,S1X • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Toshiba
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 120 V
閘/源擊穿電壓 20 V
漏極連續(xù)電流 112 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） 5.8 mOhms
配置 Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格 Through Hole
封裝 / 箱體 TO-220
封裝 Tube