MOSFET SI8812DB-T2-E1品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI8812DB-T2-E1 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
SI8812DB-T2-E1 Vishay/Siliconix MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V 可訂貨 1:￥2.00
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SI8812DB-T2-E1 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Vishay/Siliconix
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 20 V
閘/源擊穿電壓 8 V
漏極連續(xù)電流 3.2 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） 0.59 Ohms at 4.5 V
配置 Single
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 Micro Foot-4
封裝 Reel