MOSFET TK39N60W,S1VF品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

TK39N60W,S1VF • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
TK39N60W,S1VF Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF 可訂貨
TK39N60W,S1VF • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
RoHS:
PDF參數(shù):
制造商 Toshiba
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 600 V
閘/源擊穿電壓 30 V
漏極連續(xù)電流 38.8 A
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通) 0.055 Ohms
配置 Single
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 Through Hole
封裝 / 箱體 TO-247-3
封裝 Tray