MOSFET SIRA18DP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIRA18DP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 13.3A N-Ch G-IV 可訂貨
SIRA18DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 13.3A N-Ch G-IV
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Vishay Semiconductors
晶體管極性
汲極/源極擊穿電壓
閘/源擊穿電壓
漏極連續(xù)電流
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
配置
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
封裝 / 箱體
封裝