MOSFET SI6475DQ-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI6475DQ-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
SI6475DQ-T1-GE3 Vishay/Siliconix MOSFET 12V 10A 1.75W 11mohm @ 4.5V 可訂貨 2,140:¥5.52
3,000:¥4.83
SI6475DQ-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET 12V 10A 1.75W 11mohm @ 4.5V
RoHS:
PDF參數(shù):
制造商 Vishay/Siliconix
晶體管極性 P-Channel
汲極/源極擊穿電壓 12 V
閘/源擊穿電壓 +/- 8 V
漏極連續(xù)電流 7.8 A
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通) 11 mOhms
配置 Single
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 TSSOP-8
封裝 Reel