MOSFET SIS778DN-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIS778DN-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
SiS778DN-T1-GE3 Vishay/Siliconix MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts 可訂貨 2,000:¥2.14
3,000:¥2.07
6,000:¥1.93
12,000:¥1.79
VQ1000P Vishay/Siliconix MOSFET QD 60V 0.225A 可訂貨 5:¥6,087.11
10:¥4,317.61
SIHG32N50D-E3 Vishay/Siliconix MOSFET 500V 32A 390W 150mOhm @ 10V 可訂貨
SUD50N04-07L-E3 Vishay/Siliconix MOSFET 40V 65A 65W 7.4mohm @ 10V 可訂貨 880:¥14.97
1,000:¥11.39
2,000:¥9.59
5,000:¥9.04
SIS778DN-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts
RoHS:
PDF參數(shù):
制造商 Vishay/Siliconix
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 30 V
閘/源擊穿電壓 20 V
漏極連續(xù)電流 35 A
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通) 0.004 Ohms
配置 Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 PowerPAK 1212-8
封裝 Reel