MOSFET SI3435DV-T1-E3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI3435DV-T1-E3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
SI3435DV-T1-E3 Vishay/Siliconix MOSFET 12V 4.8A 2W 可訂貨 1,750:¥2.83
3,000:¥2.35
6,000:¥2.19
12,000:¥2.11
SI3435DV-T1-E3 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET 12V 4.8A 2W
RoHS:
PDF參數(shù):
制造商 Vishay/Siliconix
晶體管極性 P-Channel
汲極/源極擊穿電壓 12 V
閘/源擊穿電壓 +/- 8 V
漏極連續(xù)電流 4.8 A
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通) 0.073 Ohms
配置 Single
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 TSOP-6
封裝 Reel