MOSFET IPI029N06N品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPI029N06N • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
IPI029N06N Infineon Technologies MOSFET 60V TO-262 可訂貨
BSC014N04LS Infineon Technologies MOSFET 40V Super S08 可訂貨
IPP060N06N Infineon Technologies MOSFET 60V TO-220 可訂貨
IPW60R190P6 Infineon Technologies MOSFET 600V CoolMOS P6 MOSFET 190 Rds 可訂貨
IPD60R600P6 Infineon Technologies MOSFET 600V CoolMOS P6 MOSFET 600 Rds 可訂貨
IPB014N06N Infineon Technologies MOSFET 60V TO-263 可訂貨
IPD053N06N Infineon Technologies MOSFET 60V TO-252 可訂貨
IPP60R600P6 Infineon Technologies MOSFET 600V CoolMOS P6 MOSFET 600 Rds 可訂貨
IPP020N06N Infineon Technologies MOSFET 60V TO-220 可訂貨
BSC010N04LSI Infineon Technologies MOSFET 40V Super S08 可訂貨
BSC016N06NS Infineon Technologies MOSFET 60V SuperS08 可訂貨
IPP040N06N Infineon Technologies MOSFET 60V TO-220 可訂貨
IPP029N06N Infineon Technologies MOSFET 60V TO-220 可訂貨
BSZ023N04LS Infineon Technologies MOSFET 40V S308 可訂貨
BSC014N04LSI Infineon Technologies MOSFET 40V Super S08 可訂貨
IPP60R190P6 Infineon Technologies MOSFET 600V CoolMOS P6 MOSFET 190 Rds 可訂貨
IPI029N06N • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET 60V TO-262
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Infineon Technologies
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 60 V
閘/源擊穿電壓 20 V
漏極連續(xù)電流 100 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） 2.9 mOhms
配置
最大工作溫度 + 175 C
安裝風(fēng)格 Through Hole
封裝 / 箱體 TO-262
封裝