元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格(人民幣) |
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HN7G02FE(TE85L,F) | Toshiba | 兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V Vds20V Ic=-100ma Id=50mA | 11910 | 1:¥0.621 10:¥0.483 100:¥0.414 250:¥0.38 |
類別: | RF/IF 和 RFID >> 兩極晶體管 - BJT |
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描述: | 兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V Vds20V Ic=-100ma Id=50mA |
RoHS: | 否 |
PDF參數(shù): | |
制造商 | Toshiba |
配置 | Dual |
晶體管極性 | PNP |
集電極—基極電壓 VCBO | - 50 V |
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO | - 50 V |
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO | - 5 V |
集電極—射極飽和電壓 | |
最大直流電集電極電流 | |
增益帶寬產(chǎn)品fT | |
直流集電極/Base Gain hfe Min | 120 |
最大工作溫度 | |
安裝風(fēng)格 | Through Hole |
封裝 / 箱體 | ES-6 |