兩極晶體管 - BJT BC849CLT3G品牌、價格、PDF參數(shù)

BC849CLT3G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格(人民幣)
BC849CLT3G ON Semiconductor 兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN 可訂貨
BC849CLT3G • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> 兩極晶體管 - BJT
描述: 兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 ON Semiconductor
配置 Single
晶體管極性 NPN
集電極—基極電壓 VCBO 30 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO 30 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO 5 V
集電極—射極飽和電壓 30 V
最大直流電集電極電流 0.1 A
增益帶寬產(chǎn)品fT 100 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min 420 at 2 mA at 5 V
最大工作溫度 + 150 C
安裝風格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 SOT-23-3