EPC2100ENGRT

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

EPC2100ENGRT
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
92500
EPC
MOSFET 2 N-CH 30V 9.
22+
-

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功能描述
MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
2 個 N 通道（半橋）
FET 功能
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
10A（Ta），40A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
8.2 毫歐 @ 25A，5V，2.1 毫歐 @ 25A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
4.9nC @ 15V，19nC @ 15V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
475pF @ 15V，1960pF @ 15V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應(yīng)商器件封裝
模具
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

EPC2100ENGRT 技術(shù)參數(shù)

EPC2100ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.5A，38A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.5nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2100 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta），40A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.2 毫歐 @ 25A，5V，2.1 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2049ENGRT 功能描述:TRANS GAN 40V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.6nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:805pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 15A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2047ENGRT 功能描述:TRANS GAN 200V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.2nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1050pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2046ENGRT 功能描述:TRANS GAN 200V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.6nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:345pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 20A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2104 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105 EPC2105ENG EPC2105ENGRT EPC2106 EPC2106ENGRT EPC2107 EPC2107ENGRT EPC2108 EPC2108ENGRT EPC2110 EPC2110ENGRT EPC2111 EPC2111ENGRT EPC2801 EPC2815