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GP1M005A050FSH

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
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GP1M005A050FSH PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 500V 4A TO220F
  • 制造商
  • global power technologies group
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 4A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 1.85 歐姆 @ 2A, 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 11nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 602pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 32W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商器件封裝
  • TO-220F
  • 標準包裝
  • 1
GP1M005A050FSH 技術參數(shù)
  • GP1M003A090PH 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.1 歐姆 @ 1.25A, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):748pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:1 GP1M003A090C 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.1 歐姆 @ 1.25A, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):748pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 GP1M003A080FH 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):696pF @ 25V 功率 - 最大值:32W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 GP1M003A080CH 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):696pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標準包裝:1 GP1M003A050FG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 1.25A, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):395pF @ 25V 功率 - 最大值:17.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 GP1M007A065CG GP1M007A090FH GP1M007A090H GP1M008A025CG GP1M008A025FG GP1M008A025HG GP1M008A025PG GP1M008A050CG GP1M008A050FG GP1M008A050HG GP1M008A050PG GP1M008A080FH GP1M008A080H GP1M009A020CG GP1M009A020FG GP1M009A020HG GP1M009A020PG GP1M009A050FSH
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