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GP1M016A060H

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • GP1M016A060H
    GP1M016A060H

    GP1M016A060H

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • GLOBAL PO

  • 管件

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • GP1M016A060H
    GP1M016A060H

    GP1M016A060H

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • GPTG

  • NA

  • 最新批號

  • -
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  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
GP1M016A060H PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 16A TO220
  • 制造商
  • global power technologies group
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 16A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 470 毫歐 @ 8A, 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 53nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 3039pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 290W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-220
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
GP1M016A060H 技術(shù)參數(shù)
  • GP1M016A060F 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):470 毫歐 @ 8A, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3039pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M016A025HG 功能描述:MOSFET N-CH 250V 16A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):240 毫歐 @ 8A, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):944pF @ 25V 功率 - 最大值:93.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M016A025FG 功能描述:MOSFET N-CH 250V 16A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):240 毫歐 @ 8A, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):944pF @ 25V 功率 - 最大值:30.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M016A025CG 功能描述:MOSFET N-CH 250V 16A DPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):240 毫歐 @ 8A, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):944pF @ 25V 功率 - 最大值:93.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M015A050FH 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):440 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2263pF @ 25V 功率 - 最大值:53W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1S036HEZ GP1S092HCPI GP1S092HCPIF GP1S093HCZ GP1S093HCZ0F GP1S094HCZ GP1S094HCZ0F GP1S096HCZ GP1S096HCZ0F GP1S097HCZ GP1S097HCZ0F GP1S173LCS2F GP1S194HCZ0F GP1S196HCPSF GP1S196HCZ0F GP1S196HCZSF GP1S25 GP1S25J0000F
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