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IRF6622TR1PBF

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

IRF6622TR1PBF
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層
5000
IR
DIREFET
11+
-
100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

IRF6622TR1PBF
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
IOR
QFN
08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

IRF6622TR1PBF
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
638850
IR
DirectFET
最新批次
-
OEM渠道，價(jià)格超越代理！

IRF6622TR1PBF
深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號(hào)深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1930
IR
DirectFET
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

IRF6622TR1PBF
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
DIRECTFET? SQ
19+
-
代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

IRF6622TR1PBF
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
2350
IR
ROHS
201315+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫(kù)存！400-800-03...

IRF6622TR1PBF
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
69200
IR
NA
18+
-
全新原裝，優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

IRF6622TR1PBF
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
9800
IOR
QFN
18+
-
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝現(xiàn)貨

IRF6622TR1PBF
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯(lián)系人：林小姐/歐陽(yáng)先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號(hào)
地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
IR
20+
-
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，長(zhǎng)期供應(yīng)

IRF6622TR1PBF
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座1503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
4480
IR
QFN
1031+
-
原裝現(xiàn)貨/特價(jià)

IRF6622TR1PBF
深圳市芯睿晨科技有限公司
深圳市芯睿晨科技有限公司
聯(lián)系人：李小姐/肖先生
電話：0755-8257149682571956
地址：賽格廣場(chǎng)69樓6900
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
13985
IR
原廠封裝
21+
-
★假一賠十!絕對(duì)原裝現(xiàn)貨市場(chǎng)最低價(jià)！★

IRF6622TR1PBF
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯(lián)系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知
1000
IR
DirectFET
2012+
-
只做原裝正品。

IRF6622TR1PBF
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
IR
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

IRF6622TR1PBF
北京力通科信電子有限公司
北京力通科信電子有限公司
聯(lián)系人：韓小姐
電話：13661385246
地址：北京市海淀區(qū)知春路118號(hào)知春大廈B座1504室，新中發(fā)電子市場(chǎng)B1303-b1305柜臺(tái)
1000
IOR
QFN
08+
-
原裝現(xiàn)貨13661385246

IRF6622TR1PBF
甄芯網(wǎng)
甄芯網(wǎng)
聯(lián)系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門市部：中航路都會(huì)電子3C002B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
2000
IOR
SQ
07+
-
絕對(duì)原裝現(xiàn)貨可出樣品

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功能描述
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 6.3mOhms 11nC
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

IRF6622TR1PBF 技術(shù)參數(shù)

IRF640,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1850pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF640 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1560pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF630FP 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF630 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF620 功能描述:MOSFET N-CH 200V 6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 IRF6628TR1PBF IRF6628TRPBF IRF6629TR1PBF IRF6629TRPBF IRF6631TR1PBF IRF6631TRPBF IRF6633ATR1PBF IRF6633ATRPBF IRF6633TR1 IRF6633TR1PBF IRF6633TRPBF IRF6635 IRF6635TR1 IRF6635TR1PBF IRF6635TRPBF IRF6636 IRF6636TR1 IRF6636TR1PBF

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林沃田信息技術(shù)(深圳)..
配單專線：0755-82781160
深圳市佳芯恒業(yè)科技有限..
配單專線：0755-83353220
安富微（深圳）商貿(mào)有限..
配單專線：0755-88999344

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