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IRFH5053TR2PBF

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • IRFH5053TR2PBF
    IRFH5053TR2PBF

    IRFH5053TR2PBF

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話(huà):0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室

  • 69800

  • IR

  • 近兩年生產(chǎn)

  • 8-PowerVDF

  • -
  • 每一片都來(lái)自原廠

  • IRFH5053TR2PBF
    IRFH5053TR2PBF

    IRFH5053TR2PBF

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • INTERNATIONAL RECTIFIER

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 13+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • IRFH5053TR2PBF
    IRFH5053TR2PBF

    IRFH5053TR2PBF

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話(huà):0755-8320801015711992892

    地址:都會(huì)軒3607

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PQFN(5x6)單芯片焊盤(pán)

  • 19+

  • -
  • 代理直銷(xiāo)!進(jìn)口原裝正品!

  • IRFH5053TR2PBF
    IRFH5053TR2PBF

    IRFH5053TR2PBF

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • IRFH5053TR2PBF
    IRFH5053TR2PBF

    IRFH5053TR2PBF

  • 深圳市正永電子有限公司
    深圳市正永電子有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話(huà):0755-23930354

    地址:中航路都會(huì)軒3607

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PQFN(5x6)單芯片焊盤(pán)

  • 19+

  • -
  • 代理直銷(xiāo)!進(jìn)口原裝正品!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共11條 
  • 1
IRFH5053TR2PBF PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MOSFT 100V 46A 18mOhm 24nC
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
IRFH5053TR2PBF 技術(shù)參數(shù)
  • IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):850 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 2.7A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF820 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):315pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):550 毫歐 @ 5.3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF730 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):530pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRFH5206TR2PBF IRFH5206TRPBF IRFH5207TR2PBF IRFH5207TRPBF IRFH5210TR2PBF IRFH5210TRPBF IRFH5215TR2PBF IRFH5215TRPBF IRFH5220TR2PBF IRFH5220TRPBF IRFH5250DTR2PBF IRFH5250DTRPBF IRFH5250TR2PBF IRFH5250TRPBF IRFH5255TR2PBF IRFH5255TRPBF IRFH5300TR2PBF IRFH5300TRPBF
配單專(zhuān)家

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