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IRG5U150HF12B

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IRG5U150HF12B 技術(shù)參數(shù)
  • IRFP460 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18.4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:128nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2980pF @ 25V 功率 - 最大值:220W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 IRFP450 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 IRFP250 功能描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:33A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:158nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2850pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRG5U75HH12E IRG5W50HF06A IRG6B330UDPBF IRG6I320UPBF IRG6I330U-110P IRG6I330U-111P IRG6I330U-168P IRG6I330UPBF IRG6IC30U-110P IRG6IC30UPBF IRG6S320UPBF IRG6S320UTRLPBF IRG6S320UTRRPBF IRG6S330UPBF IRG7CH30K10EF IRG7CH37K10EF IRG7CH44K10EF IRG7CH50K10EF
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