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IRGSL4B60KD1PBF
深圳市佳斯泰科技有限公司
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聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層
5000
IR
TO-262
11+
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100%進口原裝正品，只做原裝

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中山市翔美達電子科技有限公司
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聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
9688
TI
NA
19+
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公司全新原裝正品,QQ153058080...

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深圳市眾芯微電子有限公司
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聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
TO-262
19+
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代理直銷！進口原裝正品！

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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
INTERNATI
RAIL / TUBE
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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深圳市華雄半導體（集團）有限公司
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聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業(yè)執(zhí)照
3669
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2231+
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十年專營，供應原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

IRGSL4B60KD1PBF
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
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聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業(yè)執(zhí)照
4831
IR
TO262
2212+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

IRGSL4B60KD1PBF
深圳市科宏特電子有限公司
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聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原裝正品

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功能描述
IGBT 晶體管 600V Low-Vceon Non Punch Through
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

IRGSL4B60KD1PBF 技術參數(shù)

IRFP460 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:128nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2980pF @ 25V 功率 - 最大值:220W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 IRFP450 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 IRFP250 功能描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:158nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2850pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRH-24/6.3-T110N-C IRH-24/6.3-T110NF-C IRH-24/6.3-T110NVF-C IRH-24/6.3-T110P-C IRH-24/6.3-T110PF-C IRH-24/6.3-T110PVF-C IRH-5/30-T110N-C IRH-5/30-T110NF-C IRH-5/30-T110NVF-C IRH-5/30-T110P-C IRH-5/30-T110PF-C IRH-5/30-T110PVF-C IRIS4007 IRIS4007K IRIS4011 IRIS4011K IRIS4013 IRIS4013K