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IXGN82N120B3H1

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • IXGN82N120B3H1
    IXGN82N120B3H1

    IXGN82N120B3H1

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 52388

  • IXYS/艾賽斯

  • SOT-227U

  • 24+

  • -

  • 原裝正品 華強(qiáng)現(xiàn)貨

  • IXGN82N120B3H1
    IXGN82N120B3H1

    IXGN82N120B3H1

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • IXYS

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共14條 
  • 1
IXGN82N120B3H1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 產(chǎn)品
  • IGBT Silicon Modules
  • 配置
  • Dual
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 600 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 1.95 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 230 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 445 W
  • 最大工作溫度
  • + 125 C
  • 封裝 / 箱體
  • 34MM
  • 封裝
IXGN82N120B3H1 技術(shù)參數(shù)
  • IXG611S1T/R 功能描述:IGBT 晶體管 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube IXG611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱(chēng):*IR2127 IXG611P1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-PDIP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱(chēng):*IR2127 IXF6401BEC7A1835148 功能描述:IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 接口 - 電信 系列:- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 06/Feb/2012 標(biāo)準(zhǔn)包裝:750 系列:* IXF611S1T/R 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXGP12N60CD1 IXGP15N100C IXGP15N120B IXGP15N120C IXGP16N60B2 IXGP16N60B2D1 IXGP16N60C2 IXGP16N60C2D1 IXGP20N100 IXGP20N120 IXGP20N120A3 IXGP20N120B IXGP20N120B3 IXGP20N120BD1 IXGP20N60B IXGP24N120C3 IXGP24N60C IXGP24N60C4
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