IXTR120P20T

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操作

IXTR120P20T
林沃田信息技術(深圳)有限公司
林沃田信息技術(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
IXYS
MOSFET P-CH 200V 90A
22+
-

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功能描述
MOSFET TrenchP Power MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

IXTR120P20T 技術參數(shù)

IXS839S1T/R 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839S1 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839BQ2T/R 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839BQ2 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839AQ2T/R 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXTR40P50P IXTR48P20P IXTR62N15P IXTR90P10P IXTR90P20P IXTT02N450HV IXTT100N25P IXTT10N100D IXTT10N100D2 IXTT10P50 IXTT10P60 IXTT110N10L2 IXTT110N10P IXTT11P50 IXTT120N15P IXTT12N140 IXTT12N150 IXTT12N150HV