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IXDD614CI

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IXDD614CI PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 14A LO SIDE TO-220-5
  • RoHS
  • 類別
  • 集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 95
  • 系列
  • -
  • 配置
  • 高端和低端,獨立
  • 輸入類型
  • 非反相
  • 延遲時間
  • 160ns
  • 電流 - 峰
  • 290mA
  • 配置數(shù)
  • 1
  • 輸出數(shù)
  • 2
  • 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動)
  • 600V
  • 電源電壓
  • 10 V ~ 20 V
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • 8-SOIC
  • 包裝
  • 管件
  • 產(chǎn)品目錄頁面
  • 1381 (CN2011-ZH PDF)
IXDD614CI 技術(shù)參數(shù)
  • IXDD609YI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV TO263-5 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動):- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件 IXDD609SITR 功能描述:功率驅(qū)動器IC 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDD609SIATR 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動):- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件 IXDD609SIA 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端,獨立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動):600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDD609SI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端,獨立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動):600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDE504D2 IXDE504D2T/R IXDE504PI IXDE504SIA IXDE504SIAT/R IXDE509D1 IXDE509D1T/R IXDE509PI IXDE509SIA IXDE509SIAT/R IXDE514D1 IXDE514D1T/R IXDE514PI IXDE514SIA IXDE514SIAT/R IXDF402PI IXDF402SI IXDF402SIA
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