10ETF12PBF

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說明
操作

10ETF12PBF
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯(lián)系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
IR
TO-220
22+
-
全新原裝現(xiàn)貨供應

10ETF12PBF
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
20000
IR
原廠標準封裝
14+
-
全新原裝，進口現(xiàn)貨，準時交貨，量大優(yōu)惠

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功能描述
DIODE FAST REC 1200V 10A TO220AC
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器
系列
-
標準包裝
100
系列
-
二極管類型
標準
電壓 - (Vr)（最大）
50V
電流 - 平均整流 (Io)
6A
電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢復 = 200mA（Io）
反向恢復時間(trr)
300ns
電流 - 在 Vr 時反向漏電
15µA @ 50V
電容@ Vr, F
-
安裝類型
底座，接線柱安裝
封裝/外殼
DO-203AA，DO-4，接線柱
供應商設備封裝
DO-203AA
包裝
散裝
其它名稱
*1N3879

10ETF12PBF 技術參數(shù)

10ETF12FP 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.33V @ 10A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:310ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 整包供應商器件封裝:TO-220AC 整包工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 10ETF12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.33V @ 10A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:310ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 10ETF10STRR 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.33V @ 10A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:310ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263AB（D2PAK）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:800 10ETF10STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.33V @ 10A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:310ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263AB（D2PAK）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:800 10ETF10S 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.33V @ 10A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:310ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263AB（D2PAK）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 10ETS12STRL 10ETS12STRR 10-F40-10 10FHY-RSM1-GAN-TF(LF)(SN) 10FLH-SM1-TB(LF)(SN)(F) 10FLT-SM2-TB(LF)(SN) 10FLZ-RSM1-TB 10FLZ-SM1-TB 10FLZT-SM1-TF(LF)(SN)(P) 10FMN-BMT-A-TF 10FMN-BMT-A-TF(LF)(SN) 10FMN-BMTR-A-TB 10FMN-BMTR-A-TB(LF)(SN) 10FMN-BMTTN-A-TF 10FMN-BMTTN-A-TF(LF)(SN) 10FMN-BMTTR-A-TB 10FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 10FMN-SMT-A-TF