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1N3023B

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  • 1N3023BJANTX
    1N3023BJANTX

    1N3023BJANTX

  • 標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話(huà)：83617149

    地址：新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

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  • 1N3023B-1
    1N3023B-1

    1N3023B-1

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話(huà)：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • DIODE ZENER 13V 1W D

  • 22+

  • -

  • 1N3023B
    1N3023B

    1N3023B

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • IR

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  • 制造商
  • 功能描述
  • 制造商
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  • 功能描述
  • 制造商
  • Solid State Devices Inc (SSDI)
  • 功能描述
  • 1 WATT ZENER DIODE D0-13
1N3023B 技術(shù)參數(shù)
  • 1N3022BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 12V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3022B-1 功能描述:DIODE ZENER 12V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3021BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3021B-1 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3020BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 10V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25μA @ 7.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3027BUR-1 1N3028B-1 1N3028BUR-1 1N3029B-1 1N3029BUR-1 1N3030B-1 1N3030BUR-1 1N3031B-1 1N3031BUR-1 1N3032B-1 1N3032BUR-1 1N3033B-1 1N3033BUR-1 1N3034B-1 1N3034BUR-1 1N3035B-1 1N3035BUR-1 1N3036B-1
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