1N3439

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1N3439
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ST
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1N3439 技術(shù)參數(shù)

1N3350RB 功能描述:DIODE ZENER 200V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:200V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 152V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3350B 功能描述:DIODE ZENER 200V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:200V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 152V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3350A 功能描述:DIODE ZENER 200V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:200V 容差:±10% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 152V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3349RB 功能描述:DIODE ZENER 180V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:180V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 136.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3349B 功能描述:DIODE ZENER 180V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:180V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 136.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3512A 1N3513A 1N3514A 1N3515A 1N3516A 1N3517A 1N3518A 1N3519A 1N3520A 1N3521A 1N3522A 1N3523A 1N3524A 1N3525A 1N3526A 1N3527A 1N3528A 1N3529A