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1N352

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  • silicon diode
1N352 技術(shù)參數(shù)
  • 1N3519A 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3518A 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3517A 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3516A 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3515A 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3529A 1N3530A 1N3531A 1N3532A 1N3533A 1N3534A 1N3595 1N3595-1 1N3595TR 1N3595UR-1 1N3595US 1N3600 1N3611 1N3611GP-E3/54 1N3611GP-E3/73 1N3611GPHE3/54 1N3611GPHE3/73 1N3611GP-M3/54
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