1N3611GPHE3/73

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1N3611GPHE3/73
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售部經(jīng)理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
256
Vishay Semiconductors
標(biāo)準(zhǔn)封裝
23+
-
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功能描述
整流器 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產(chǎn)品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復(fù)時間
1.2 us
正向連續(xù)電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

1N3611GPHE3/73 技術(shù)參數(shù)

1N3611GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,500 1N3611GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N3611GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3611 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3600 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3613 1N3613GP-E3/54 1N3613GP-E3/73 1N3613GPHE3/54 1N3613GPHE3/73 1N3613GP-M3/54 1N3613GP-M3/73 1N3614 1N3614GP-M3/54 1N3614GP-M3/73 1N3643 1N3644 1N3645 1N3646 1N3647 1N3671 1N3671A 1N3671AR